台积电取得重大突破 1nm以下制程挑战摩尔定律
近日，台积电联合台大与美国麻省理工学院(MIT)官方宣布，在 1nm 以下芯片制程方面取得重大突破。研究发现，二维材料结合“半金属铋(Bi)”能大幅降低电阻并提高传输电流，实现接近量子极限的能效，解决了长期以来二维材料高电阻及低电流等问题，有助实现半导体1nm以下制程挑战。
1nm以下制程挑战摩尔定律
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